Mention de date : 1953
Paru le : 19/08/2016
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[n° ou bulletin]
| Titre : |
v. 1 - 1953 |
| Type de document : |
texte imprimé |
| Langues : |
Allemand (ger) Anglais (eng) |
| Note de contenu : |
Allgemeine Methoden und Ergebnisse der wellenmechanischen Vielelektronentheorie in Kristallgittern --
Diskussion --
Die chemische Bindung in halbleitenden Festkörpern --
Wechselwirkung von Elektronenbewegungen mit Schallquanten --
Einige Zusatzbemerkungen zum Referat Pfirsch --
Bemerkung über den Gültigkeitsbereich der Störungsrechnung für die Berechnung der Übergangswahrscheinlichkeiten in der Theorie der elektrischen Leitfähigkeit --
Vergleichende Betrachtungen über die Natur der Störstellen in Halbleitern und Phosphoren --
Fehlordnungsgleichgewichte in halbleitenden Kristallen vom Standpunkt des Massenwirkungsgesetzes --
Die Regulierung von elektrischen und optischen Eigenschaften von polaren kristallen --
Bemerkungen zum Beitrag Kröger-Vink --
Statistische Halbleiterprobleme --
Strahlungslose Elektronenübergänge an Gitterstörstellen --
Beitrag W. Schottky zum Referat Haug --
Randschichteffekte an der Grenzfläche Halbleiter/Vakuum und Halbleiter/Gasraum --
Diskussionsbemerkungen zum Vortrag Engell --
Diskussionsbemerkung Rupprecht --
Elektronik der Doppelrandschichten und dünnen Zwischenschichten --
Diskussionsbeitrag Schottky zum Referat Poganski --
Über die elektrolytische Gleichrichtung --
Diskussion --
Eigenschaften und Herstellung von Selen- und Kupferoxydulgleichrichtern --
Der Wirkungsgrad von Selengleichrichtern --
Die Technik des Transistors --
Diskussion --
Die fertigung von Spitzen- und Schichtentransistoren --
Einige Erwägungen bei der Entwicklung von Transistoren --
Amerikanische Berichte zu Transistor- und Photoleitungsfragen --
New advances in the junction Transistor --
Photoconductivity --
Photoconductive pickup tubes. |
[n° ou bulletin]
v. 1 - 1953 [texte imprimé]. Langues : Allemand ( ger) Anglais ( eng)
| Note de contenu : |
Allgemeine Methoden und Ergebnisse der wellenmechanischen Vielelektronentheorie in Kristallgittern --
Diskussion --
Die chemische Bindung in halbleitenden Festkörpern --
Wechselwirkung von Elektronenbewegungen mit Schallquanten --
Einige Zusatzbemerkungen zum Referat Pfirsch --
Bemerkung über den Gültigkeitsbereich der Störungsrechnung für die Berechnung der Übergangswahrscheinlichkeiten in der Theorie der elektrischen Leitfähigkeit --
Vergleichende Betrachtungen über die Natur der Störstellen in Halbleitern und Phosphoren --
Fehlordnungsgleichgewichte in halbleitenden Kristallen vom Standpunkt des Massenwirkungsgesetzes --
Die Regulierung von elektrischen und optischen Eigenschaften von polaren kristallen --
Bemerkungen zum Beitrag Kröger-Vink --
Statistische Halbleiterprobleme --
Strahlungslose Elektronenübergänge an Gitterstörstellen --
Beitrag W. Schottky zum Referat Haug --
Randschichteffekte an der Grenzfläche Halbleiter/Vakuum und Halbleiter/Gasraum --
Diskussionsbemerkungen zum Vortrag Engell --
Diskussionsbemerkung Rupprecht --
Elektronik der Doppelrandschichten und dünnen Zwischenschichten --
Diskussionsbeitrag Schottky zum Referat Poganski --
Über die elektrolytische Gleichrichtung --
Diskussion --
Eigenschaften und Herstellung von Selen- und Kupferoxydulgleichrichtern --
Der Wirkungsgrad von Selengleichrichtern --
Die Technik des Transistors --
Diskussion --
Die fertigung von Spitzen- und Schichtentransistoren --
Einige Erwägungen bei der Entwicklung von Transistoren --
Amerikanische Berichte zu Transistor- und Photoleitungsfragen --
New advances in the junction Transistor --
Photoconductivity --
Photoconductive pickup tubes. |
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